1.表面轉(zhuǎn)移阻抗（Surface Transfer Impedance）
按IEC61196-1測試同軸電纜的方法，測試帶屏蔽的平衡電纜，短路8根芯線后用50Ω信號源激勵。被測試線長1米，測試頻率30MHz，頻率越高，線長越短導(dǎo)體表面轉(zhuǎn)移阻抗。主要用于評估連接硬件的屏蔽效率，其實測值不超過以下計算值。
ZTcable=37+4f+4f1/2+5f1/3
ZTcable：表面轉(zhuǎn)移阻抗，單位mΩ/m
f：信號頻率，單位MHz
2.轉(zhuǎn)移阻抗（Transfer Impedance）
轉(zhuǎn)移阻抗與屏蔽電纜和連接硬件的屏蔽效率相關(guān)，其數(shù)值可通過實驗室高頻密封箱測量屏蔽插入損耗，計算得出。
Ri1＝Ri2＝50Ω——網(wǎng)絡(luò)分析儀特性阻抗
R1＝50Ω——饋電電阻
R2＝50Ω——終端電阻
U1＝信號發(fā)射電壓（V）
U2＝信號接收電壓（V）
Uc＝被測設(shè)備兩端電壓
Zcond=連接器特性阻抗（Ω）
Zt=轉(zhuǎn)移阻抗（Ω）
Zt＝1/l電纜長度•Ri1/Ri2•(R2+ Ri2)•U2/ U1＝100/l電纜長度•U2/ U1
由于屏蔽插入損耗（αs）為20•lg (U2/ U1)dB，轉(zhuǎn)移阻抗(Zt)也可以表示為：
Zt＝100•10α/20（Ω）
3.耦合衰減（Coupling Attenuation）
耦合衰減用于描述電纜系統(tǒng)的電磁兼容性能。耦合衰減Catt＝Pr/Pi（Pr：線纜接收功率；Pi：在內(nèi)導(dǎo)體上產(chǎn)生的噪聲功率）
將電纜近似看作電磁場中的全向天線，其接收到的電磁功率Pr＝λ2/4π•PD（λ：信號波長，PD：電磁場功率密度）
內(nèi)部內(nèi)部導(dǎo)體產(chǎn)生噪聲功率Pi＝內(nèi)部導(dǎo)體產(chǎn)生噪聲功率Vi2/Z（Vi：內(nèi)導(dǎo)體上的噪聲電壓；Z內(nèi)導(dǎo)體阻抗，50Ω）
4.屏蔽系數(shù)（GB54419-1985）
按下圖裝置，測試電纜金屬護(hù)套及鎧裝層的理想屏蔽系數(shù)γ0s＝VC/VS（線芯上的感應(yīng)電壓mV；電纜式樣金屬套上的縱向干擾電壓mV）。
5.屏蔽耦合損耗（Coupling Loss）（GY/T186-2002）
GTEM小室饋入功率與被測件耦合功率的分貝差。與10.9.3耦合衰減（Coupling Attenuation）意義相同。
6.屏蔽效能（Shielding Effectiveness）（GY/T186-2002）
采用GTEM小室測量無屏蔽電纜與屏蔽電纜的屏蔽耦合損耗的分貝差。
